光催化是利用光來激發(fā)二氧化鈦等化合物半導(dǎo)體，利用它們產(chǎn)生的電子和空穴來參加氧化—還原反應(yīng)。當(dāng)能量大于或等于能隙的光照射到半導(dǎo)體納米粒子上時，其價帶中的電子將被激發(fā)躍遷到導(dǎo)帶，在價帶上留下相對穩(wěn)定的空穴，從而形成電子—空穴對。由于納米材料中存在的缺陷和懸鍵，這些缺陷和懸鍵能俘獲電子或空穴并阻止電子和空穴的重新復(fù)合。這些被俘獲的電子和空穴分別擴散到微粒的表面，從而產(chǎn)生了強烈的氧化還原勢。

　　光催化性能主要受光催化劑材料本身以及光催化反應(yīng)條件兩方面的影響。材料方面影響因素有材料本身能帶結(jié)構(gòu)、形貌、缺陷、尺寸等，反應(yīng)條件主要包括光源和pH值等。

　　1.  催化劑能帶結(jié)構(gòu)

　　光催化核心的概念是光催化劑吸收光能后，產(chǎn)生具有還原能力的電子e-和具備氧化能力的空穴h+，e-和h+再將接觸到的其他物質(zhì)(H2O、污染物、重金屬離子、CO2等)還原、氧化掉。當(dāng)然，光催化劑的氧化還原能力是有其限制的，光催化劑的氧化還原能力取決于其導(dǎo)帶、價帶位置，導(dǎo)帶越負，還原能力越強；價帶越正，氧化能力越強。

　　2. 催化劑形貌

　　催化劑由于制備方法、反應(yīng)時間、溫度等不同會得到不同的形貌，例如花狀、球狀、片狀等等。形貌不同，比表面積不同，與反應(yīng)物接觸面積也不同。一般來講，比表面積越大，吸附性能越好，催化性能也越好，但現(xiàn)在很多文獻有講，光催化劑催化性能與比表面積并沒有必然聯(lián)系。

　　3.  晶面

　　光催化反應(yīng)發(fā)生在半導(dǎo)體表面，因而半導(dǎo)體表面表面原子結(jié)構(gòu)對催化劑催化性能有很大影響。催化劑不同晶面具有不同的原子排列和結(jié)構(gòu)，會表現(xiàn)出不同的催化性能，可以通過調(diào)控催化劑晶面來提高其催化性能。如Dan Wu等發(fā)現(xiàn)晶面占主體的BiOBr比晶面占主體的BiOBr在使細菌失活方面表現(xiàn)出更好的光催化性能。

　　4. 催化劑尺寸

　　光催化劑粒徑尺寸與其催化性能息息相關(guān)。當(dāng)催化劑尺寸達到納米級后，存在量子尺寸效應(yīng)，并且隨著尺寸的減小，半導(dǎo)體的禁帶寬度變大，氧化還原能力變強。同時，尺寸變小，電子空穴對到達催化劑表面時間越短，能越快與吸附在催化劑表面物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)。但同時需要考慮的是，尺寸越小，禁帶寬度越大，對光的吸收能力也就越弱。以g-C3N4為例，雙氰胺、三聚氰胺等直接高溫?zé)鰜淼膅-C3N4尺寸較大，催化性能并不好，ShubinYang等將粗品g-C3N4剝離為納米片狀，大大提升了其光催化性能。

　　5.  催化劑晶型結(jié)構(gòu)

　　晶型結(jié)構(gòu)對催化性能影響典型代表莫過于TiO2了，TiO2有三種晶型結(jié)構(gòu)-銳鈦礦型、金紅石型以及板鈦礦型，常見的為銳鈦礦型和金紅石型，晶型結(jié)構(gòu)不同導(dǎo)致它們具有不同的禁帶寬度，金紅石型TiO2 3.0 eV，銳鈦礦型TiO2 3.2eV，并且相較于金紅石型TiO2，銳鈦礦型TiO2具有更大的比表面積，更多的晶格缺陷，對電子的捕獲能力也更強，有利于電子空穴對的分離，從而具備更強的光催化性能。

　　6.  催化劑缺陷

　　缺陷對半導(dǎo)體材料的電子結(jié)構(gòu)、光吸收性能、表面吸附性能等都有影響。缺陷會在半導(dǎo)體能帶中引入新的能級，從而增強對光的吸收能力；可以增強對H2O和O2、CO2等的吸附，可以生成更多的活性自由基或者將CO2還原；除此之外，缺陷可以作為電子捕獲中心，有利于電子空穴對的分離。

　　7.  pH

　　pH對光催化性能影響明顯的莫過于染料降解了，不同染料在溶液中pH不同，染料所帶電荷與催化劑表面電荷的同異將直接影響吸附性能，進而影響到后續(xù)的催化降解。如S.Sakthivel等提到TiO2(Degussa P25) 的零電荷點為6.8，ZnO 零電荷點為9.0±0.3，零電荷點以下，催化劑帶正電，反之，帶負電，當(dāng)染料與催化劑帶電相反，就會由于靜電作用，有更多染料吸附在催化劑上，利于催化降解。除此之外，堿性條件下，溶液中有更多的OH-，更利于形成·OH，從而對催化性能造成影響。

　　8.  光源

　　光源對催化性能影響主要體現(xiàn)在光照波長與光照強度兩個因素。光照波長很好理解，比如汞燈/紫外燈和氙燈，汞燈發(fā)射光線主要為紫外線，而氙燈模擬太陽光，主要是可見光，TiO2只有在紫外線下才能被激發(fā)產(chǎn)生電子空穴對，才會有較好的光催化性能。而光強對催化性能的影響結(jié)合高中物理知識就可以理解，光催化反應(yīng)中，受光照激發(fā)產(chǎn)生電子空穴對的催化劑是有限的，光強較弱時，隨光強增強，有更多催化劑加入反應(yīng)，但當(dāng)光強增強到一定值，沒有多余催化劑產(chǎn)生電子空穴對，對催化性能幾乎沒影響。與之相反，光強過強，會導(dǎo)致反應(yīng)體系溫度升高，造成催化劑團聚，反而降低催化性能。